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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
정재헌 (부산대학교) 조상현 (부산대학교) 송풍근 (부산대학교)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제46권 제1호
발행연도
2013.2
수록면
16 - 21 (6page)

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CIGS (Cu-In-Ga-Se) films were deposited on the Mo coated soda lime glass (Mo/SLG) by RF magnetron sputtering using a single sintered target with different chemical compositions. Heat treatment of the CIGS films were carried out under three different conditions, 1step (350℃ for 2 hour and 550℃ for 2 hour) and 2step (350℃ for 1 hour and 550℃ for 1 hour). In the case of CIGS films post-annealed on 2step method, grain size remarkably increased compared to other methods, indicating that chemical composition [Cu/(Ga+In) = 1] of CIGS films was same as CIGS target. After heat treatment by 2step method, band gap energy of the CIGS film deposited at RF 80 W showed 1.4 eV which is broadly similar to identical band gap energy (1.2 eV) of CIGS film prepared by evaporation method. Therefore, 2step heat treatment method could be expected to low temperature process.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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