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저자정보
Sora Ahn (Ewha Womans University) Hyein Lim (Ewha Womans University) Hyungsoon Shin (Ewha Womans University) Seungjun Lee (Ewha Womans University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.1
발행연도
2013.2
수록면
28 - 33 (6page)

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Spin-torque oscillators (STO) is a new device that can be used as a tunable microwave source in various wireless devices. Spin-transfer torque effect in magnetic multilayered nanostructure can induce precession of magnetization when bias current and external magnetic field are properly applied, and a microwave signal is generated from that precession. We proposed a semi-empirical circuit-level model of an STO in previous work. In this paper, we present a refined STO model which gives more accuracy by considering physical phenomena in the calculation of effective field. Characteristics of the STO are expressed as functions of external magnetic field and bias current in Verilog-A HDL such that they can be simulated with circuit-level simulators such as Hspice. The simulation results are in good agreement with the experimental data.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. MODEL OF STO
III. CIRCUIT LEVEL SIMULATION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-569-000245251