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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
백준영 (충남대학교) 정태선 (아주대학교) 조은선 (충남대학교)
저널정보
Korean Institute of Information Scientists and Engineers 정보과학회논문지 : 컴퓨팅의 실제 및 레터 정보과학회논문지 : 컴퓨팅의 실제 및 레터 제19권 제1호
발행연도
2013.1
수록면
1 - 6 (6page)

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플래시메모리 성능 향상을 위한 다양한 연구들은 플래시메모리의 사용을 증가시켜 왔다. 그러나 쓰기 연산이 플래시메모리 성능 저하의 주요 원인으로 알려졌음에도 불구하고, 응용 프로그램 단계에서의 쓰기 연산 최적화 연구는 거의 없었다. 본 논문에서는 응용 프로그램의 반복문 재구성을 통한, 페이지 단위의 선택 쓰기 연산을 제안한다. 페이지 단위의 접근이 가능하도록 하기 위해서, 기존 반복문을 타일링(tiling)하거나, 새로운 반복문을 추가하여 반복문의 중첩도를 변경한다. 제안된 기법은 동적으로 데이터의 변경 여부를 판단하여, 오직 변경된 데이터를 쓰기 연산한다. 제안된 선택 쓰기 연산은 불필요한 쓰기 데이터를 제거함으로써, 쓰기 요청 데이터의 양을 감소시킨다.
#플래시메모리 #반복문 변환 #쓰기 연산 #성능 향상 #Flash memory #loop transformation #write operation #performance improvements

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 관련 연구
3. 기본 개념
4. 반복문의 접근 영역 계산 : 단계 1
5. 반복문 변환 : 단계 2
6. 선택 쓰기 연산을 위한 코드 삽입 : 단계 3
7. 실험 결과
8. 결론
참고문헌

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
SAMSUNG ELEC / 2004 / NAND Flash memory & smartmedia data book google schola Intel Corp / Understanding the flash translation layer (FTL) specification google schola F. Chen / 2011 / CAFTL: A Content- Aware Flash Translation Layer Enhancing the Lifespan of Flash Memory based Solid State Drives / Proc. of the USENIX conference on File and storage technologies google schola C.-C. Lin / 2007 / Source Code Arrangement of Embedded Java virtual Machine for NAND Flash memory / Proc. of the International Symposium on Communications and Information Technologies :152~157 google schola C. Park / 2004 / Compiler-Assisted Demand Paging for embedded systems with flash memory / Proc. of the ACM international conference on Embedded Software :114~124 google schola

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