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RF 직접 추출 방법을 통해 얻은 정확한 MOSFET 기판 파라미터를 이용하여 기판저항만을 가진 BSIM4 모델은 스케일링 부정확성 때문에 넓은 영역의 게이트 길이에 적용하기에는 물리적으로 맞지 않다는 것이 증명됐다. BSIM4의 비물리적인 문제점을 제거하기 위해서 추가적인 유전체 기판 캐패시터를 가진 수정된 BSIM4 모델이 사용되었고, 이 모델의 물리적 타당성은 우수한 게이트 길이 scalability를 관찰함으로써 증명되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXTRACTION AND ANALYSIS
Ⅲ. CONCLUSIONS
참고문헌
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1. [단행본] - BSIM4 Manual / 2001 / Department of Electrical Engineering and Computer Science / University of California
2. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2001 / A small-signal RF model and its parameter extraction for substrate effects in RF MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 48 : 1374 ~ 1379
3. [학술지(정기간행물)] - 이용택 / 2004 / Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출 / 전자공학회논문지 - SD 41 (12) : 1121 ~ 1128
4. [학술지(정기간행물)] - J. Cha / 2008 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 55 : 2195 ~ 2201
5. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2000 / A semianalytical parameter extraction of a SPICE BSIM3v3 for RF MOSFET's using S-parameters / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 48 : 412 ~ 416
2. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2001 / A small-signal RF model and its parameter extraction for substrate effects in RF MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 48 : 1374 ~ 1379
3. [학술지(정기간행물)] - 이용택 / 2004 / Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출 / 전자공학회논문지 - SD 41 (12) : 1121 ~ 1128
4. [학술지(정기간행물)] - J. Cha / 2008 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 55 : 2195 ~ 2201
5. [학술지(정기간행물)] - S. Lee / 2000 / A semianalytical parameter extraction of a SPICE BSIM3v3 for RF MOSFET's using S-parameters / IEEE Trans. Microwave Theory Tech 48 : 412 ~ 416
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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-569-000510148