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저자정보
Yanan Sun (Hong Kong University of Science and Technology) Volkan Kursun (Hong Kong University of Science and Technology)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2012 Conference
발행연도
2012.11
수록면
191 - 194 (4page)

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Low-power, compact, and high-performance NP dynamic CMOS circuits implemented with a 16㎚ carbon nanotube transistor technology are presented in this paper. The performances of NP dynamic CMOS full adders based on 16㎚ carbon nanotube MOSFETs (CN-MOSFETs) and 16㎚ conventional silicon MOSFETs (Si-MOSFETs) are compared. The dynamic switching power consumption, the leakage power consumption, and the total area are reduced by 53.38%, 95.10%, and 68.96%, respectively, with the CN-MOSFET technology while providing similar propagation delay as compared to the Si-MOSFET NP dynamic CMOS full adder.
#NP dynamic CMOS #carbon nanotube transistor technology #low power #high performance #hole mobility #electron mobility

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. HIGH-PERFORMANCE COMPLEMENTARY CN-MOSFETS
Ⅲ. COMPARISON OF CN-MOSFET AND SI-MOSFET NP DYNAMIC CMOS CIRCUITS
Ⅳ. CONCLUSION
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