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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.11
- 수록면
- 2,029 - 2,033 (5page)
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반도체 디바이스의 집적도가 증가하고 회로 선폭이 감소함에 따라 미세입자 오염에 의한 반도체 디바이스의 패턴 결함 및 전기적 특성 불량 문제가 심각해진다. 웨이퍼 상부의 오염물질은 소자의 성능을 감소시키고 수율을 저하시키기 때문에 이러한 오염물을 웨이퍼 표면으로부터 효과적으로 제거하기 위해서는 세정 공정을 연속적으로 수행하여야 한다. 현재 웨이퍼 캐리어 내 오염물질을 제거하기 위하여 질소가스가 사용되고 있으나 웨이퍼 캐리어 내부로 유입되는 질소가스가 유로 구조상 웨이퍼 간극사이로 균일한 유동분포를 형성하지 못하고 있다. 본 연구에서는 웨이퍼 간극사이로 유동을 제어하기 위해 웨이퍼 캐리어 내 유입구의 형상변화와 유입 관로 직경 변화에 따른 유동록성을 수치해석적 방법으로 수행하였으며, 유로의 형상변화와 캐리어 내부에 유동가이드를 부착시켜 균일한 유동을 구현할 수 있다는 것을 확인하였다. 또한 유입 관로의 직경에 따른 유속의 변화에 따라 전체 유동 패턴이 변화됨을 확인하였다.
목차
Abstract
1. 서론
2. 지배방정식
3. 경계조건 및 해석방법
4. 결과 및 고찰
5. 결론
참고문헌
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