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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.11
- 수록면
- 160 - 163 (4page)
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The important use of copper thin films as a reliable interconnect material for integrated circuits is hampered by reliability issues one of the most noted of which is the increased resistivity at the micro and nano scale attributed to grain boundary scattering. The usual approach to this problem is the annealing of copper at a high temperature. Graphene growth on copper via Thermal CVD includes the annealing of copper. This work examines the effects of graphene growth on the resistivity and mechanical properties of copper. Resistance measurement coupled with Digital Image Correlation were performed on dog-bone shaped specimens of copper (18 um thick), thermally anneal copper and graphene growth copper. Raman spectroscopy was performed to examine the graphene layer while an AFM was used to examine the surface topography of the copper and annealed copper surfaces.
목차
Abstract
1. 서론
2. 시험 재료 및 시험편
3. 시험 방법
4. 시험 결과 및 고찰
5. 결론
후기
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