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저자정보
Sh. M. Ebrahim (Alexandria University) I.Morsi (Arab Academy for Science and Technology) M. M. Soliman (Alexandria University) M. Alshrkawy (Arab Academy for Science and Technology) A. A. Elzaem (Arab Academy for Science and Technology)
저널정보
제어로봇시스템학회 제어로봇시스템학회 국제학술대회 논문집 ICCAS 2010
발행연도
2010.10
수록면
366 - 369 (4page)

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Copper indium disulfide (CulnS<SUB>2</SUB>) has direct band-gap energy of about 1.5 eV and a large absorption coefficient, which are well suited to the photovoltaic conversion of solar energy. In this task a novel florin doped tin oxide (FTO)/CuInS<SUB>2</SUB>/ polyaniline base/ZnO/FTO hetrojunction solar cell was fabricated. CulnS<SUB>2</SUB> thin films were electrodeposited onto fluorine doped tin oxide substrate by the electrodeposition technique. Current-voltage characteristic curves were measured under darkness and illumination. It found that Jsc, Voc, and η are 3.2x10<SUP>-6</SUP> A/㎠, 0.714 V and 1.92x10<SUP>-3</SUP> % for FTO/CuInS<SUB>2</SUB>/ZnO/ITO herterojunction solar cell while Jsc, Voc, and η are 3.25x10<SUP>-6</SUP> A/㎠, 0.724 V and 1.8x10<SUP>-3</SUP> % for FTO/CuInS<SUB>2</SUB>/polyaniline base ZnO/ITO herterojunction solar cell.

목차

Abstract
1. INTRODUCTION
2. EXPERIMENTAL WORK
3. RESULTS and DISCUSSION
4. CONCLUSION
5. Acknowledgment
REFERENCES

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