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전호식 (호서대학교) 허양욱 (호서대학교) 이재표 (호서대학교) 한상윤 (삼성 디스플레이) 배병성 (호서대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.29 No.11
발행연도
2012.11
수록면
1,164 - 1,169 (6page)

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This paper presents a study of an integrated infrared (IR) photo sensor for display application. We fabricated hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and hydrogenated amorphous silicon germanium thin film transistor (a-SiGe:H TFT) which were bottom gate structure. We investigated the dependence of a-SiGe:H TFT characteristics on incident wavelengths. We proposed photo sensor which responded to wavelengths of IR region. Proposed pixel circuit of photo sensor was consists of switch TFT and photo TFT, and one capacitor. We developed integrated photo sensor circuit and investigated the performance of the proposed sensor circuit according to the input wavelengths. The developed photo sensor circuit with a- SiGe:H TFT was suitable for IR.

목차

1. 서론
2. TFT 소자 제작 및 광 특성 분석
3. 측정 결과
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (5)

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