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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.12 No.3
- 발행연도
- 2012.9
- 수록면
- 370 - 376 (7page)
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In this work, design considerations for highperformance silicon photodetector are thoroughly investi- gated. Besides the critical dimensions of device, guidelines for process architecture are suggested. Abiding by those criteria for improving both direct-current (DC) and alternating-current (AC) perfor- mances, a high-speed low-operation power silicon photodetector based on p-i-n structure for optical interconnect has been designed by device simulation. An f-3dB of 80 ㎓ at an operating voltage of 1 V was obtained.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DEVICE STRUCTURE AND SIMULATION
Ⅲ. SIMULATION RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
참고문헌 (0)
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