1~18 GHz의 광대역 동작 주파수와 Watt급 출력 전력을 갖는 고출력 분산 증폭기를 상용 0.25 um GaN-on SiC HEMT 공정을 이용하여 MMIC로 설계 및 제작하였다. 개발된 분산 증폭기는 광대역에서 이득 특성을 개선하기 위해서 2개의 서로 다른 분산 증폭기를 서로 직렬 연결한 구조로 설계되었으며, 28 v (170 mA)의 DC 바이어스에서 1~18 GHz의 광대역에서 13dB 이상의 고이득 특성을 가지며, 30dBm 이상의 높은 포화 출력 전력 성능을 나타내었다. 제작된 분산증폭기 MMIC의 크기는 2.75 x 1.75 mm²이다.