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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김흥배 (쎄크 (SEC Co., LTD))
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.29 No.5
발행연도
2012.5
수록면
554 - 562 (9page)

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Processing of Scanning electron microscope imaging has been analyzed in both secondary electron (SE) imaging and backscattered electron (BSE) image. Because of unique characteristics of both secondary electron and backscattered electron image, mechanism of imaging process and image quality are quite different each other. For the sake of characterize imaging process, Monte Carlo simulation code have been developed. It simulates electron penetration and depth profile in certain material. In addition, secondary electron and backscattered electron generation process as well as their spatial distribution and energy characteristics can be simulated. Geometries that has fundamental feature have been imaged using the developed Monte Carlo code. Two, SE and BSE images generation process will be discussed. BSE imaging process can be readily used to discriminate in both material and geometry by simply changing position and direction of BSE detector. The developed MC code could be useful to design BSE detector and their position. Furthermore, surface reconstruction technique is possibly developed at the further research efforts. Basics of Monte Carlo simulation method will be discussed as well as characteristics of SE and BSE images.
#Scanning Electron Microscope (주사전자현미경) #Secondary Electron (이차전자) #Backscattered Electron (후방산란 전자) #Monte Carlo Simulation (몬테 카를로 시뮬레이션)

목차

기호설명
1. 서론
2. 전자현미경
3. 몬테 카를로 해석
4. 전자-고체 상호 작용
5. 이미징
6. 결론
참고문헌

참고문헌 (17)

참고문헌 신청
Ivor, I. / 1992 / The Physics of Micro/Nano-fabrication / Plenum Press google schola Kaesmaier, R. / 2000 / Ion Projection Lithography: Progress of European MEDEA & International Program / Microelectron. Eng. 53(1):37~45 google schola Frey, L. / 2003 / Nanoscale Effects in Focused Ion Beam Processing / Appl. Phys. A 76(7):1017~1023 google schola Matsui, S. / 2010 / Three-dimensional nanostructure fabrication by focused ion beam chemical vapour deposition, In Springer Handbook of Nanotechnology :211~229 google schola Young, R. J. / 1993 / Characteristics of gas-assisted focused ion beam etching / J. Vac. Sci. Technol. B 11(2):234~241 google schola

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