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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
심재민 (고려대학교) 정지채 (고려대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第23卷 第3號
발행연도
2012.3
수록면
361 - 366 (6page)

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본 논문에서는 TSMC 0.18 μm CMOS 공정을 사용하여 저전력, 5.2 GHz 대역 저잡음 증폭기를 설계하였다. 제안된 회로는 5.2 GHz 대역 저잡음 증폭기 설계를 위해, 공통 게이트 구조를 이용하여 입력 정합을 하였다. 입력 정합단에 캐패시터 크로스 커플링 방법을 사용하여 적은 양의 전류를 흘려 적당한 이득을 얻었다. 추가적인 전력 소비 없이 부족한 이득을 증가시키기 위하여 전류 재사용 방법을 이용하여 공통 게이트 증폭단 위에 공통 소스 구조를 추가하였다. 전류 재사용단의 인덕터의 크기를 줄이기 위하여 캐패시터를 병렬로 연결함으로써 실효 인덕턴스 값을 증가시켜 인덕터의 크기를 줄였다. 제안된 회로는 5.2 GHz 대역에서 17.4 dB의 이득과 2.7 dB의 잡음 지수 특성을 갖는다. 저잡음 증폭기는 1.8 V의 공급 전압에 대해 5.2 mW의 전력을 소비한다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 저전력 저잡음 증폭기 설계
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (5)

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