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논문 기본 정보

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학술대회자료
저자정보
Mengshu Huang (Waseda University) Leona Okamura (Waseda University) Tsutomu Yoshihara (Waseda University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 ISOCC ISOCC 2010 Conference
발행연도
2010.11
수록면
205 - 208 (4page)

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A high area efficiency hybrid decoupling scheme using both passive and active capacitors is designed to suppress the program noise of charge pump in non-volatile memory. Through the decoupling impedance analysis and noise power calculation, an optimized ratio between the passive and active capacitors is obtained to achieve maximum noise suppression performance. The proposed hybrid decoupling charge pump is fabricated in 0.18μm technology with 1V supply voltage. The results show a nearly 20dB noise-suppression-ratio (NSR) to the conventional method and the ripple voltage reduction is 73%. The area overhead is only 2%.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. ANALYSIS AND OPTIMIZATION OF HYBRID DECOUPLING SCHEME
Ⅲ. CIRCUIT IMPLEMENTATION
Ⅳ. RESULTS AND COMPARISON
Ⅴ. CONCLUSION
REFERENCES

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