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Chemical mechanical polishing(CMP) technology is faced with the challenge of processing new electronic materials. This paper focuses on the balance between chemical and mechanical reactions in the CMP process that is required to cope with a variety of electronic materials. The material properties were classified into the following categories: easy to abrade(ETA), difficult to abrade(DTA), easy to react(ETR) and difficult to react(DTR). The chemical and mechanical balance for the representative ETA-ETR, DTA-ETR, ETA-DTR and DTA-DTR materials was considered for defect-free surfaces. This paper suggests the suitable polishing methods and examples for each electronic material.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 전자재료의 분류
3. 연마 메커니즘
4. 화학기계적 균형
5. 결론
후기
참고문헌
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - Jeong, H / 1996 / Integrated Planarization Technique with Consistency in Abrasive Machining for Advanced Semiconductor Chip Fabrication / Annals of the CIRP 45 (1) : 311 ~ 314
2. [학술지(정기간행물)] - Venkatesh, V. C / 1995 / Observations on Polishing and Ultraprecision Machining of Semiconductor Substrate Materials / Annals of the CIRP 44 (2) : 611 ~ 618
3. [학술지(정기간행물)] - Jeong, H. D / 2007 / CMP Pad Break-in Time Reduction in Silicon Wafer Polishing / Annals of the CIRP 56 (1) : 357 ~ 360
4. [학술지(정기간행물)] - Che, W / 2006 / Surface Evolution during the Chemical Mechanical Planarization / Annals of the CIRP 55 (1) : 605 ~ 608
5. [학술지(정기간행물)] - Komanduri, R / 1997 / Technological Advances in Fine Abrasive Processes / Annals of the CIRP 46 (2) : 545 ~ 596
2. [학술지(정기간행물)] - Venkatesh, V. C / 1995 / Observations on Polishing and Ultraprecision Machining of Semiconductor Substrate Materials / Annals of the CIRP 44 (2) : 611 ~ 618
3. [학술지(정기간행물)] - Jeong, H. D / 2007 / CMP Pad Break-in Time Reduction in Silicon Wafer Polishing / Annals of the CIRP 56 (1) : 357 ~ 360
4. [학술지(정기간행물)] - Che, W / 2006 / Surface Evolution during the Chemical Mechanical Planarization / Annals of the CIRP 55 (1) : 605 ~ 608
5. [학술지(정기간행물)] - Komanduri, R / 1997 / Technological Advances in Fine Abrasive Processes / Annals of the CIRP 46 (2) : 545 ~ 596
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