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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김강삼 (한국생산기술연구원) 조용기 (열·표면연구그룹)
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제44권 제6호
발행연도
2011.12
수록면
264 - 268 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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The Molybedenium thin film is generally used on back contact material of CIGS solar cell due to low electrical resistivity and stable thermal expansion coefficient. The Mo thin films deposited on si wafer by the magnetron sputtering method. The research focused on the variation of electrical resistivity of films which deposited with various working pressure at the target power of 2.0 kW(8.4 W/). The lowest resistivity of Mo thin film showed 9.0 μO-cm at pressure of 1.5 mTorr. However, working pressure increasing up to 50 mTorr, resistivities were highly increased. The results showed that the conductivity of Mo films depended on growing structures and defects in deposition process. Surface morphology, porosity, grain size, oxidation, and bonding structures were analysed by SEM, AFM, spectroscopic ellipsometry (SE), XRD, and XPS.

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
참고문헌

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