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저자정보
이정원 (LIG넥스원) 임재환 (LIG넥스원) 강명일 (LIG넥스원) 한재섭 (LIG넥스원) 김종필 (LIG넥스원) 이수호 (LIG넥스원)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第22卷 第12號
발행연도
2011.12
수록면
1,139 - 1,147 (9page)

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본 논문에서는 S대역 400 ㎒ 대역폭을 갖는 능동 배열 위상레이더 시스템에 적용 가능한 GaN 반도체 전력 증폭기의 설계 및 제작 측정에 관해 소개하였다. GaN 팔레트 증폭 소자를 λ/4 입출력 차이를 둔 결합기를 이용하여 고출력 증폭기를 구현하였고, Suspended 형태의 고출력용 저손실 결합기와 개구면을 이용한 스트립라인간의 커플러를 사용하여 자동 이득 제어(ALC) 기능을 가지는 고출력, 고효율의 반도체 전력증폭기를 구현하였다. 제작된 반도체 전력증폭기는 자동 이득 제어 미적용 시 최대 출력 5 ㎾, 효율 27.8 %, 이득 67 ㏈ 특성을 가지며, 자동 이득 제어 적용 시 출력 4 ㎾, 효율 25.5 %와 duty 10 %, 최장 펄스 200 us에서 droop 0.1 ㏈ 특성을 갖는다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 반도체 전력증폭기 설계 및 제작
Ⅲ. 반도체 전력증폭기 측정
Ⅳ. 결론
참고문헌

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