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저자정보
Toshio Miyazawa (National Defense Academy) Fujihiko Matsumoto (National Defense Academy) Kazufumi Kanegae (National Defense Academy) Yasuaki Noguchi (National Defense Academy)
저널정보
대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2008
발행연도
2008.7
수록면
533 - 536 (4page)

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A transconductor using bias offset technique is known as a linear MOS transconductor. The linearity is deteriorated by nonideal factors. Major deterioration is caused by mobility degradation from an effect of vertical field. This paper proposes a linearization technique of the MOS transconductor following change of operating range. This technique improves the linearity of transconductance characteristic by adding two MOSFETs operating as resistors and a source follower to the conventional circuit.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Conventional Circuit
3. Transfer Characteristic
4. simulation
5. Conclusion
References

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