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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Kalpana Landge (인하대학교) Beata Bialek (인하대학교) 이재일 (인하대학교)
저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제21권 제4호
발행연도
2011.8
수록면
127 - 131 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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암염구조를 가진 SiTe에서 일부 Si를 Cr로 치환한 화합물에 대한 전자구조와 자성을 교환상관퍼텔셜에 일반기울기 근사를 쓴 full potential linearized augmented plane wave 에너지 띠 계산방법을 이용하여 연구하였다. Si 대신 25 %의 Cr을 치환한 CrSi₃Te₄ 및 50 %를 치환한 CrSiTe₂를 고려하였다. 총에너지 계산으로 CrSi₃Te₄는 11.64 a.u, CrSiTe₂는 a = 7.89 a.u., c = 11.13 a.u.의 평형격자상수를 가짐을 알았다. CrSiTe₂는 단위부피당 정수인 4 μB의 자기모멘트를 가지는 반쪽금속성을 나타냈으며, CrSi₃Te₄는 단위부피당 자기모멘트가 4 μB보다 미세하게 컸다. 두 화합물 모두에서 치환되어 들어간 Cr은 3.6 μB 정도의 자기모멘트를 가졌으며, Si나 Te는 약하게 자기화되었다. 계산된 스핀분극 상태밀도를 이용하여 이 두 화합물의 자성을 논의하였다.

목차

Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Computational Method
Ⅲ. Result and Discussion
Ⅳ. Conclusion
References

참고문헌 (23)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2013-428-000316651