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B. Park (포항공과대학교) M. Cho (포항공과대학교) W. Namkung (포항공과대학교) S. Lee (다원시스) H. Park (다원시스) S. Kim (다원시스) H. Yoo (다원시스)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2011-ECCE Asia
발행연도
2011.5
수록면
3,001 - 3,004 (4page)

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High voltage pulse modulator of hard tube type has been developed for plasma source ion implantation (PSII). In this modulator, the crowbar switch is required for the excellent performance of PSII process which is different from conventional PSII. In order to reduce the falling time of pulse, the crowbar switch is used to PSII system. The arc response time for steady operation was designed with 500 ㎱. The current capacity is 120 A during the pulse at an output voltage of 60 ㎸. The total pulse length is varied from 3 to 12 ㎲ under a maximum repetition rate is 2 ㎑. The maximum pulse duty is 0.012. The average power is 40 ㎾. In this article, we introduce the various type of modulator for PSII and show the performance of the developed modulator.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. PULSEMODULATOR FOR PSII
Ⅲ. DEVELOPMENT OF PULSE MODULATOR
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2013-560-000303075