Realistic Simulation on Reverse Characteristics of SiC/GaN p-n Junctions for High Power Semiconductor Devices

Guannan Wei; Yung C. Liang; Ganesh S. Samudra

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Guannan Wei (National University of Singapore) Yung C. Liang (National University of Singapore) Ganesh S. Samudra (National University of Singapore)

저널정보: 전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2011-ECCE Asia

발행연도: 2011.5

수록면: 1,464 - 1,468 (5page)

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This paper presents a practical methodology for realistic simulation on reverse characteristics of Wide Bandgap (WBG) SiC/GaN p-n junctions. The adjustment on certain physic-based model parameters, such as the trap density and photo-generation for SiC junction, and impact ionization coefficients and critical field for GaN junction are described. The adjusted parameters were used in Synopsys Medici simulation to obtain a realistic p-n junction avalanche breakdown voltage. The simulation results were verified through benchmarking against independent data reported by others.

#High voltage p-n junction #SiC/GaN diode simulation #WBG power semiconductor

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Guannan Wei

소속기관 National University of Singapore

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 105

Yung C. Liang

소속기관 National University of Singapore

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 105

Ganesh S. Samudra

소속기관 National University of Singapore

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 2 이용수 105

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