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저자정보
I. Abuishmais (Norwegian University) T. Undeland (Norwegian University)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2011-ECCE Asia
발행연도
2011.5
수록면
1,206 - 1,210 (5page)

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Enhancement-mode high voltage SiC VJFETs are available on market today. In this paper we present results of dynamic characterization of these devices. A standard double pulse test with clamped inductive load was used during this characterization. Switching times are registered and energy losses are calculated. The impact of driver circuitry on device performance is highlighted. A comparison between commercially available driver and an optimized driver is established here showing the dependency of switching losses of this device on driver circuit. When an optimized driver is used, a reduction of 80% and 70% in turn-off time and switching loss is observed, respectively.
#Dynamic characterization #JFET #Semiconductor devices #SiC devices

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. ENHANCEMENT-MODE SIC POWER VJFET
Ⅲ. BASIC REQUIREMENTS FOR SIC VJFET DRIVER
Ⅳ. DYNAMIC CHARACTERIZATION OF SIC VJFET
Ⅴ. SWITCHING TIMES AND ENERGIES
Ⅵ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

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