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Timothy Junghee Han (Global Power Electronics) Jim Nagashima (Global Power Electronics) Sung Joon Kim (Global Power Electronics) Srikanth Kulkarni (University of Idaho) Fred Barlow (University of Idaho)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2011-ECCE Asia
발행연도
2011.5
수록면
764 - 769 (6page)

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Recent progress on Silicon Carbide (SiC) power devices has shown their better power conversion efficiency compared to Silicon power devices due to the significant reduction in both conduction and switching losses. Combined with their high operating junction temperature capability, six-pack SiC power modules have been developed for high reliable and compact power systems. This paper focuses on the development of a high efficiency and high temperature inverter based on fully integrated SiC power modules. The main topic includes the SiC power module design targeting on high temperature operation (T<SUB>j</SUB>>200℃), full three phase inverter design and prototype development, and the inverter evaluation. A liquid cooled SiC inverter prototype with a peak power rating of 50 ㎾ has been developed and demonstrated. When tested at moderate load levels compared to the inverter rating, an efficiency of 98.5% is achieved by the initial prototype, which is higher than most Si inverters.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DESIGN AND DEVELOPMENT OF SIC POWER MODULE
Ⅲ. 50 ㎾ INVERTER DEVELOPMENT
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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