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Il-Yong Park (동부하이텍) Yong-Keon Choi (동부하이텍) Kwang-Young Ko (동부하이텍) Sang-Chul Shim (동부하이텍) Bon-Keun Jun (동부하이텍) Nam-Chil Moon (동부하이텍) Nam-Joo Kim (동부하이텍) Kwang-Dong Yoo (동부하이텍)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2011-ECCE Asia
발행연도
2011.5
수록면
318 - 325 (8page)

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This paper reviews the technology trends of BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) technology in terms of voltage capability, switching speed of power transistor, and high integration of logic CMOS for SoC (System-on-Chip) solution requiring high-voltage devices. Recent trends such like modularity of the process, power metal routing, and high-density NVM (Non-Volatile Memory) are also discussed.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. HIGH-SPEED BCD
Ⅲ. HIGH-PERFORMANCE BCD
Ⅳ. MEDIUM-VOLTAGE BCD
Ⅴ. HIGH-VOLTAGE BCD
Ⅵ. EMERGING TRENDS IN BCD TECHNOLOGY
Ⅶ. CONCLUSIONS
REFERENCES

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