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저자정보
Leobardo Hern´andez (Departamento de Ingenier´ıa en Comunicaciones y Electr´onica del I.P.N.) Abraham Claudio (Centro Nacional de Investigaci´on y Desarrollo Tecnol´ogico) Marco A. Rodrìguez (Universidad Aut´onoma del Carmen) Mario Ponce (Centro Nacional de Investigaci´on y Desarrollo Tecnol´ogico) Alejandro Tapia (Departamento de Ingenier´ıa en Comunicaciones y Electr´onica del I.P.N.)
저널정보
전력전자학회 JOURNAL OF POWER ELECTRONICS JOURNAL OF POWER ELECTRONICS Vol.11 No.3
발행연도
2011.5
수록면
381 - 388 (8page)

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This article presents the development of a model for SiC power diodes based on the physics of the semiconductor. The model is able to simulate the behavior of the dynamics of the charges in the N- region based on the stored charge inside the SiC power diode, depending on the working regime of the device (turn-on, on-state, and turn-off). The optimal individual calculation of the ambipolar diffusion length for every phase of commutation allows for solving the ambipolar diffusion equation (ADE) using a very simple approach. By means of this methodology development a set of differential equations that models the main physical phenomena associated with the semiconductor power device are obtained. The model is developed in Pspice with acceptable simulation times and without convergence problems during its implementation.
#Physical Modeling #Silicon Carbide #Simulation Semiconductor

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. MODELING PRINCIPLE
Ⅲ. STATIC STATE MODEL
Ⅳ. DYNAMIC MODEL
Ⅴ. MODEL IMPLEMENTATION
Ⅵ. SIMULATION RESULTS
Ⅶ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES

참고문헌 (20)

참고문헌 신청
J. L. Hudgins / 2003 / An assessment of wide bandgap semiconductors for power devices / IEEE Trans. Power Electron 18(3):907~914 google schola M. E. Levinshteina / 2005 / High-temperature (up to 773 K) operation of 6-kV 4H-SiC junction diodes / Solid-State Electronics 49(7):1228~1232 google schola M. Holza / 2007 / Reliability considerations for recent Infineon SiC diode releases,” / Microelectronics Reliability 47(9-11):1741~1745 google schola R. Singh / 2003 / High temperature SiC trench gate p-IGBTs / IEEE Trans. Electron Devices 50(3):774~784 google schola J. H. Zhao / 2004 / Demonstration of 1789 V, 6.68mW-cm2 4H-SiC merged- PiN-Schottky diodes / Electron Devices Letters 40(6) google schola

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