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저자정보
이경수 (성균관대학교) 이원지 (성균관대학교) 송정현 (성균관대학교) 백종민 (성균관대학교) 김지홍 (삼성테크윈) 권기원 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2008년도 SOC 학술대회
발행연도
2008.5
수록면
192 - 195 (4page)

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본 논문에서는 근거리 무선 통신 분야의 중요한 제품인 RFID tag용 저전력 메모리 IP를 제안한다. Floating gate방식의 NVM은 FeRAM 방식보다 전력 소모량이나 속도측면에서 불리하다고 알려져 있다. 그러나 본 논문에서는 floating gate방식의 비휘발성 메모리 소자의 program과 erase 동작 모두를 Fouler-Nordheim tunneling 방식으로 동작시키는 메모리 소자를 개발함으로써 저전력 고속 동작을 실현하였다. 또한 testability를 위해 test mode에서 access 할 수 있는 SRAM buffer를 구비하였고, 사용 중에 발생 할 수 있는 bit error를 구제하기 위해 ECC 기능을 마련하여 신뢰성 있는 메모리 IP를 제공하였다.
#Memory IF #RFID #Tag #Tunneling #Low power

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Floating Gate 형 메모리 셀
Ⅲ. Simulation 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌

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