메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
정인영 (광운대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2008년도 SOC 학술대회
발행연도
2008.5
수록면
57 - 60 (4page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
본 논문에서는 MOS 트랜지스터가 Fowler-Nordheim 스트레스에 의해 문턱전압이 이동하는 현상을 이용하여 래치형 비교기에서 옵셋을 제거하는 새로운 방법을 소개한다. 프리차지 및 인에이블 동작을 통하여 비교기의 옵셋을 평가하고 이에 스트레스 전압을 가함으로써 자동적으로 옵셋이 제거되는 과정을 보인다. DRAM 비트라인 감지증폭기 회로를 제작하여 이 방법을 적용하여 실제 옵셋이 0으로 수렴해가는 것을 측정결과로 보인다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 감지증폭기 옵셋
Ⅲ. 옵셋보정
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2012-569-004205611