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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
G.A. NABIEV (Fergana Polytechnic Institute)
저널정보
대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
발행연도
2008.6
수록면
330 - 334 (5page)

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In this work has been created the theory of the photo-electrets state in homogeneous semiconductors. The photo-electrets of such type can be created as the result of only the illumination without external electric field. In this case the polarizing factor is the difference of mobility electrons and holes. For multilayered structure with homogeneous micro areas being photoactive the expression for a photo voltage is found in view of deep levels sticking for the non-basic carriers of the charge. The photo-electrets state is observed when the time of life of free non-basic carriers is much less than time of life of carriers at a level of sticking in structure. In the elementary case a photo voltage is relaxes on the exponential law. The time relaxation is estimated by several hours. The most perspective material for supervision of the photo-electrets state without external polarizing field is the silicon. Structures, in which this effect is observed, can be applied as elements of memory and in electro photography.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Model
3. Results and discussion
4. Conclusion
References

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