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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Il-Joo Cho (한국과학기술연구원) Kwang Seok Yun (서강대학교) Hyo-Jin Nam (LG전자)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.6 No.1
발행연도
2011.1
수록면
119 - 122 (4page)

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A new high speed AFM probe has been proposed and fabricated. The probe is integrated with PZT actuated cantilever realized in bulk silicon wafer using heavily boron doped silicon as an etch stop layer. The cantilever thickness can be accurately controlled by the boron diffusion process. Thick SCS cantilever and integrated PZT actuator make it possible to be operated at high speed for fast imaging. The resonant frequency of the fabricated probe is 92.9 ㎑ and the maximum deflection is 5.3 ㎛ at 3 V. The fabricated probe successfully measured the surface of standard sample in an AFM system at the scan speed of 600㎛/sec

목차

Abstract
1. Introduction
2. Structure and Fabrication
3. Measurement Results
4. Conclusions
References

참고문헌 (7)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2012-560-003839321