Superparamagnetic Clusters in La_1-xSr_xCoO₃(x≤0.2)

R. Rajagukguk ,  Agustina Ismail ,  B. W. Lee

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2011 .06

Spin properties according to structures of La_1-xSr_xCoO₃

Y. J. Yoo ,  K. K. Yu ,  J. Y. Kim 외 4명

한국진공학회 학술발표회초록집

2005 .08

An STM Study of Na_xCoO₂(x=0.84) Surface

Song-Hsin Huang ,  C. H. Lin ,  H. S. Hsue 외 3명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2007 .05

Resistive Memory Switching in Ge5Se5 Thin Films

Jang-Han Kim ,  Yeong-Hyeon Hwang ,  Hong-Bay Chung

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .02

Optical Properties of Na_xCoO₂ Thin Films and Single Crystal

M. H. Hsu ,  H. L. Liu ,  W. J. Chang 외 2명

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

2007 .05

Forming free resistive switching behaviors in oxygenated amorphous carbon layer by ultra- thin atomic metal layer

Da Seul Hyeon ,  Gab ,  ial Jang 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2020 .08

A non-destructive study of the conducting filaments in resistive switching metal-oxides using superconducting proximity effect

Yongcheol Jo ,  Yongmin Kim ,  Jongmin Kim 외 10명

한국진공학회 학술발표회초록집

2017 .02

Resistive switching characteristics of Al₂O₃/ZnO thin films for flexible memory applications

Jun ZHU

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

CoO를 절연층으로 이용한 자기 터널링 접합구조에서의 자기저항 특성에 관한 연구

조용진 ,  조권구 ,  주승기

한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집

1999 .10

Impact of impurities and annealing conditions on the characteristics of Si/HfO₂:Al/TiN ReRAM devices

Jongseok Woo ,  Changhwan Shin

한국진공학회 학술발표회초록집

2020 .02

1 Selector + 1 Resistance Behavior Observed in Pt/SiN/Ti/Si Structure Resistive Switching Memory Cells

박주현 ,  김희동 ,  김태근

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .02

NiO 박막의 결정성이 Resistive Switching 특성에 미치는 영향

박재완 ,  박종완 ,  양민규 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2005 .08

Microwave Annealing in Ag/HfO2/Pt Structured ReRAM Device

Jang-Han Kim ,  Hong-Ki Kim ,  Ki-Hyun Jang 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .02

CoO를 절연층으로 이용한 스핀 의존성 터널링 접합에서의 자기저항 특성

정창욱 ,  조용진 ,  안동환 외 3명

한국자기학회지

2000 .08

Phase transformation induced resistive switching behavior in Al/Cu₂Se/Pt

Shania REHMAN ,  Kiwhan KIM ,  Yongji XU 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

2016 .08

Properties of resistive switching in SiO₂/Si/TiO₂ structure by thermal annealing for non-volatile memory

Seungon Song ,  Kyongmin Kim ,  Kyunho Jung 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2017 .02

Effect of Non-lattice Oxygen Concentration on Non-linear Interfacial Resistive Switching Characteristic in Ultra-thin HfO2 Films

김영재 ,  김종기 ,  목인수 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .02

Resistive Switching in Vapor Phase Polymerized Poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)

P. Y. Kalode ,  성명모

한국진공학회 학술발표회초록집

2012 .08

Characteristic analysis of single SiO_x layer ReRAM devices with thermal annealing and partial pressure

Taegeon Kim ,  Changhwan Shin

한국진공학회 학술발표회초록집

2020 .02

Controlling topological surface state of Bi₂Se₃ by resistive switching

김종훈 ,  정광식 ,  채지민 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2020 .02