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저자정보
김대환 (국민대학교) 류상희 (국민대학교) 이효진 (국민대학교) 박영옥 (국민대학교) 이은중 (국민대학교) 고태준 (국민대학교)
저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제20권 제5호
발행연도
2010.10
수록면
191 - 195 (5page)

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두 차례에 걸친 양극 산화 과정 중 1차 양극 산화 시 성장한 초기 산화 피막의 제거와 2차 양극 산화 시간에 따른 다공성 알루미나 막의 성장에 대해 살펴보았다. 다공성 알루미나 막의 제작은 인산을 전해 용액으로 사용하여 두 차례의 양극산화 과정을 통해 이루어졌으며 초기 산화 피막의 제거가 2차 양극 산화 후 나타나는 알루미나 막 표면상의 기공구조형성에 미치는 영향과 함께 2차 양극 산화 시간에 따라 성장하는 알루미나 막의 두께 변화를 관찰하였다. 그 결과 1차 양극 산화 후 인산과 크롬산을 이용한 식각 과정에서 이루어진 산화 피막의 제거 정도에 따라 형성되는 다공 구조의 균일도가 향상됨을 관찰 할 수 있었다. 또한 2차 양극 산화 시간에 따라 산화 막의 두께가 선형적으로 증가함을 알 수 있었다. 본 연구를 통해 인산용액을 전해액으로 사용하였을 경우 150 V의 양극 산화 전압 하에서 다공성 알루미나 막의 성장률은 22.5 ㎚/min임을 확인 할 수 있었다.
#양극산화 알루미나 막 #초기 산화피막 식각 #산화 피막 성장률 #anodized alumina layer #initial oxide layer removal #alumina layer growth rate

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (9)

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1. [학술지(정기간행물)] - Hideki Masuda / 1995 / / Sience 268 : 1466 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - M. T. Rahman / 2010 / / Phys. Rev. B 81 : 014418 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - Parag Banerjee / 2009 / / Nat. Nanotechnol 4 : 292 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Woo Lee / 2008 / / Nat. Nanotechnol 3 : 402 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - M. D. Stewart, Jr. / 2007 / / Science 318 : 1273 ~ google schola

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