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저자정보
Aïmen Boubaker (Nanotechnologies de Lyon - INL) Nabil Sghaier (Avenue de l"environnement Monastir) Abdelkader Souifi (Nanotechnologies de Lyon - INL) Adel Kalboussi (Avenue de l"environnement Monastir)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.2
발행연도
2010.6
수록면
143 - 151 (9page)

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In this work, we propose a single electron memory 'SEM' design which consist of two key blocs: A memory bloc, with a voltage source V<SUB>Mem</SUB>, a pure capacitor connected to a tunnel junction through a metallic memory node coupled to the second bloc which is a Single Electron Transistor "SET" through a coupling capacitance. The "SET" detects the potential variation of the memory node by the injection of electrons one by one in which the drainsource current is presented during the memory charge and discharge phases. We verify the design of the SET/SEM cell by the SIMON tool. Finally, we have developed a MAPLE code to predict the retention time and nonvolatility of various SEM structures with a wide operating temperature range.

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SINGLE ELECTRON MEMORIES
Ⅲ. A NEW SET/SEM DEVICE
Ⅳ. SIMULATION RESULTS AND DISCUSSION
Ⅴ. RETENTION TIME
Ⅵ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (13)

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