CMOS SCALING AND GATE STACK TECHNOLOGY PROGRESS

최리노

한국재료학회 학술발표대회

2008 .01

Bit line stacked 어레이에서 gate all around 구조와 double gate 구조의 특성 연구

이길성 ,  김윤 ,  박병국

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

[박사학위 논문초록] 고성능 및 저전력 3D 적층형 DRAM에 관한 연구

신호현

전자공학회지

2019 .12

DRAM 특집을 내면서

진대제

전기의세계

1989 .04

Fluorine Effects on NMOS Characteristics and DRAM Refresh

Deuk-Sung Choi

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2012 .03

GIDL Current Modulation in a Gated Diode Synaptic Device with High-K Gate Stack

Min Kyu Pa ,  k ,  Jong-Ho Bae 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

2-bit/Cell Split Gate Flash Memory with Double Gate

2-bit/Cell Split Gate Flash Memo ,  y with Double Gat ,  Il Han Pa 외 5명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2007 .07

W / TiN 적층구조 Gate를 적용한 CMOS Device의 특성

주석호 ,  이종호 ,  구본재 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Bit line stacked 어레이에서 gate all around 구조와 double gate 구조의 특성 연구

이길성 ,  김윤 ,  박병국

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Investigation and Optimization of Double-gate MPI 1T DRAM with Gate-induced Drain Leakage Operation

Jongmin Ha ,  Jae Yoon Lee ,  Myeongseon Kim 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2019 .04

Improvement of Boron Penetration and Reverse Short Channel Effect in 130㎚ W/WN_x/Poly-Si Dual Gate PMOSFET for High Performance Embedded DRAM

In-Wook Cho ,  Jae-Sun Lee ,  Kae-Dal Kwack

대한전자공학회 학술대회

2002 .06

Effects of Metal Nanoparticles and Blocking Dielectrics on Characteristics of Top-Gated Organic Nano-Floating-Gate Memory Devices

강민지 ,  백강준 ,  김동윤 외 3명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2013 .04

Optimization of Gate Stack MOSFETs with Quantization Effects

Tina Mangla ,  Amit Sehgal ,  Manoj Saxena 외 4명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2004 .09

Design and Analysis of Gate Engineered Dual Material Gate Double Gate Impact Ionization Metal Oxide Semiconductor

Leo Raj Solay ,  Sa ,  abdeep Singh 외 2명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2019 .01

L-모양 gate를 적용한 새로운 dual-gate poly-Si TFT

박상근 ,  이혜진 ,  신희선 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .07

256K DRAM의 신뢰성

한국전자산업진흥회

전자진흥

1985 .01

ECC를 적용한 DRAM의 초기화 시간 최소화 방법

노종성 ,  김종태

대한전기학회 학술대회 논문집

2006 .10

DRAM의 한계

박영준

전기의세계

1989 .04

N-rich TiN Capping Layer을 이용한 20nm Gate-Last High-k/Metal Gate MOSFETs의 신뢰성 향상

배기단 ,  이경택 ,  사공현철 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2013 .07