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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
왕설 (원광대학교) 최유순 (원광대학교) 박종구 (원광대학교) 김용갑 (원광대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제58권 제6호
발행연도
2009.6
수록면
1,174 - 1,179 (6page)

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In this paper we develop the characteristic of density on non-uniform plasma in different layer of the semiconductor with optically controlled microwave pulses. The transient response of the microwave pulses in different plasma layer has been evaluated by calculating the variation of the reflection function of dielectric microstrip lines. The lines has used under open-ended termination containing optically induced plasma region, which has illuminated a laser source. The characteristics impedances resulting from the presence of plasma are evaluated by the transmission line model. The analyzes the variation of transient response in a 0.01㎝ layer near the surface for frequency range from 1㎓ to 128㎓. The diffusion length LD is larger than compared to the absorption depth 1/αι. The variation of characteristic response in plasma layer with microwave pulses which has in deferentially localized has been evaluated analytically.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Effects of Non-uniform Plasma Layer
3. Plasma Distribution Layer
4. Proposed Transient Response in Layers
5. Variation of Transient Response in Plasma Induced Layer
6. Conclusion
Acknowledgements
References
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참고문헌 (14)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-560-002246271