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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김도관 (서강대학교) 윤상원 (서강대학교)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第21卷 第3號
발행연도
2010.3
수록면
262 - 268 (7page)

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본 논문에서, 부성 저항 특성을 갖는 능동 커패시턴스 회로를 이용한 고출력 능동 가변 대역 통과 여파기는 동축형 유전체 공진기와 버랙터 다이오드를 사용하여 설계하였으며, 셀룰러 TX, RX 대역을 모두 가변할 수 있도록 설계하였다. 능동 커패시턴스 회로의 직렬 피드백 구조는 가변 대역 통과 여파기의 버랙터 다이오드로부터 생기는 손실을 보상함과 동시에 고출력 특성을 갖도록 하기 위해 P1㏈가 32 ㏈m인 GaAs HFET을 사용하였다. 버랙터 다이오드는 고선형 특성을 갖도록 하기 위해 back-to-back 구조를 사용하였다. 제작된 2단 능동 가변 대역 통과 여파기는 셀룰러 대역인 800 ㎒에서 900 ㎒를 가변하며, 각각 25 ㎒ 대역폭으로 TX 대역 836 ㎒에서 0.48 ㏈ 삽입 손실 특성을 나타냈으며, RX 대역 881.5 ㎒에서 0.39 ㏈ 삽입 손실 특성을 나타내었다. P<SUB>1dB</SUB>특성은 TX 및 RX 대역에서 각각 19.5 ㏈m과 23 ㏈m을 얻었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 능동 가변 대역 통과 여파기 설계
Ⅲ. 여파기 제작 및 특성 측정
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (8)

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