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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第21卷 第2號
발행연도
2010.2
수록면
202 - 207 (6page)

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본 논문에서는 개방 루프 형태를 지닌 다중 분할 링 공진기를 이용하여 0.13 ㎛ CMOS 공정에서 전압 제어 발진기의 설계 및 제작을 통해 위상 잡음 특성을 개선하였다. CMOS LC 공진기를 이용한 기존의 전압 제어 발진기와 비교했을 때, 본 논문에서 제안한 CMOS 전압 제어 발진기의 보다 큰 결합 계수를 통하여 Q-factor의 향상을 얻을 수 있었고, 이로 인해 전압 제어 발진기의 위상 잡음의 특성을 개선할 수 있었다. 개방 루프 다중 분할 링 공진기를 이용하여 제안된 전압 제어 발진기의 위상 잡음은 1 ㎒ 오프셋에서 -99.67 ㏈c/㎐의 특성을 나타내었다. 기존의 CMOS LC 전압 제어 발진기에 비해 약 7 dB의 위상 잡음 개선 특성을 얻을 수 있었고, 발진 주파수는 24 ㎓이며, 0.13 ㎛ CMOS 공정을 통해 0.7 ㎜×0.9 ㎜의 크기를 가지고 있다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 공진기 설계 원리
Ⅲ. 제작 및 실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌

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