ICP-CVD 방법을 이용한 탄소나노튜브의 제작 및 물성분석

장석모 ,  김영도 ,  박창균 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .07

ICP-CVD 방법을 이용하여 Ni 및 Invar 촉매 위에 성장시킨 탄소나노튜브의 구조적 물성 및 전계방출 특성

홍성태 ,  김종필 ,  박창균 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2004 .07

ICP-CVD 방법으로 합성된 탄소 나노튜브의 구조적 물성 및 전계방출 특성에 촉매의 전처리 공정이 미치는 영향

홍성태 ,  박창균 ,  박진석

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .07

ICP-CVD 방법으로 성장된 탄소 나노튜브의 구조적 특성 및 전계방출 특성 : 기판전압 인가 효과

朴昶均 ,  金鍾弼 ,  尹聖埈 외 1명

전기학회논문지

2007 .01

Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown by ICP-CVD

Tae-Hyun Gil ,  Han-Soo Kim ,  Yong-Sang Kim

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2004 .06

플라즈마 CVD를 이용한 탄소나노튜브의 성장

방윤영 ,  장원석

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2005 .06

Characterizations of i-a-Si:H and p-a-SiC:H Film using ICP-CVD Method to the Fabrication of Large-area Heterojunction Silicon Solar Cells

Chaehwan Jeong ,  Minsung Jeon ,  Koichi Kamisako

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2008 .01

ICP-CVD로 성장된 SiC박막의 Ni 금속 접합과 Ni/SiC Schottky diode의 특성 분석

길태현 ,  김용상

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .11

다양한 방법에 의해 성장된 탄소 나노튜브의 전계방출 특성

김부종 ,  장한빛 ,  김종필 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2011 .07

ICP 방법으로 증착한 SiC 박막의 성장 및 특성 고찰

김동진 ,  길태현 ,  황성수 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11

탄소나노튜브에서 전계방출

유세기

인포메이션 디스플레이

2006 .01

ICP-CVD로 성장된 SiC 박막위에 다양한 금속으로 제작된 Schottky diode의 특성 분석

고석일 ,  김용상

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .11

수소 이온 충돌을 이용한 후처리가 탄소 나노튜브의 구조적 물성 및 전계방출 특성에 미치는 영향

윤성준 ,  박창균 ,  박진석

대한전기학회 학술대회 논문집

2006 .07

Gas 주입구 위치 변화에 따른 ICP-CVD SiO₂의 두께 균일도 개선 모델링

김영욱 ,  양원균 ,  고석일 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2007 .04

탄소 나노튜브의 성장 및 전계 방출 전자 특성

이임렬

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2004 .01

N₂+H₂ ICP 표면처리를 이용한 CVD 그래핀 도핑 연구

이승환 ,  최민섭 ,  임영대 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2012 .11

촉매처리 방법에 따른 탄소 나노튜브의 전계방출 특성

박창균 ,  윤성준 ,  박진석

대한전기학회 학술대회 논문집

2006 .10

Ni/Fe 금속촉매 위에 제작된 나노구조 탄소 박막의 전계방출 특성연구

이경문 ,  박경호 ,  최승호 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2000 .05

열화학기상합성법을 이용한 탄소 나노튜브의 밀도 제어 및 전계방출 특성

공병윤 ,  김범권 ,  선전영 외 4명

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

극저온(150℃)에서 ICP-CVD로 증착한 Nanocrystalline-Si 박막

박상근 ,  한상면 ,  신광섭 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .11