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Abstract
1. 서론
2. 破壞電壓의 決定用因
3. Guard ring을 使用한 平面構造 高耐壓 다이오드
4. 실험결과 및 검토
5. 결론
謝意
참고문헌
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A NUMERICAL STUDY ON THE FLOAT GUARD RING POTENTIAL OF p+-n POWER DIODE
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Guard Ring이 없는 Planar InP / InGaAs APD의 제작 ( Fabrication of Planar InP / InGaAs Avalanche Photodiode without Guard Ring )
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1995 .04
The Optimum Design and Process of the Field Limiting Ring for 3KV High Voltage Planar Device
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푸래너 · 다이오드와 트랜지스터의 시작 ( 제 1보 ) ( Processes For Fabricating Planar p-n Diodes and Planar n-p-n Transistors )
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