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The composites were fabricated 61[vol.%] β-SiC and 39[vol.%] TiB₂ powders with the liquid forming additives of 8, 12, 16[wt%] Al₂O₃+Y₂O₃ as a sintering aid by pressureless annealing at 1650[℃] for 4 hours. The present study investigated the influence of the content of Al₂O₃+Y₂O₃ sintering additives on the microstructure, mechanical and electrical properties of the pressureless annealed SiC-TiB₂ electroconductive ceramic composites. Reactions between SiC and transition metal TiB₂ were not observed in the microstructure and the phase analysis of the pressureless annealed SiC-TiB₂ electroconductive ceramic composites. Phase analysis of SiC-TiB₂ composites by XRD revealed mostly of α -SiC(6H), β-SiC(3C), TiB₂, and In Situ YAG(Al?Y₃O₁₂). The relative density of SiC-TiB₂ composites was lowered due to gaseous products of the result of reaction between SiC and Al₂O₃+ Y₂O₃. There is another reason which pressureless annealed temperature 1650[℃] is lower 300-450[℃] than applied pressure sintering temperature 1950-2100[℃]. The relative density, the flexural strength, the Young's modulus and the Vicker's hardness showed the highest value of 82.29[%], 189.5[Mpa], 54.60[Gpa] and 2.84[Gpa] for SiC-TiB₂ composites added with 16[wt%] Al₂O₃+Y₂O₃ additives at room temperature. Abnormal grain growth takes place during phase transformation from β-SiC into α-SiC was correlated with In Situ YAG phase by reaction between Al₂O₃ and Y₂O₃ additive during sintering. The electrical resistivity showed the lowest value of 0.0117[Ω. ㎝] for 16[wt%] Al₂O₃+Y₂O₃ additives at 25[℃]. The electrical resistivity was all negative temperature coefficient resistance (NTCR) in the temperature ranges from 25℃ to 700[℃]. The resistance temperature coefficient of composite showed the lowest value of -2.3×10?³[℃]?¹ for 16[wt%] additives in the temperature ranges from 25[℃] to 100[℃].
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
저자소개
참고문헌 (51)
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1. [학술지(정기간행물)] - Rong Huang / 2005 / Effect of Y2O3-Al2O3 Ratio on Inter-Granualar Phases and Films in Tape-Casting α-SiC with High Toughness / Acta Materialia 53 (8) : 2521 ~ 2529
2. [학술지(정기간행물)] - Y. D. Shin / 2001 / Properties of β-SiC-TiB2 Electroconductive Ceramic Composites Densified by Liquid-Phase Sintering(II)" / Trans. KIEE 50C (6) : 263 ~ 270
3. [학술지(정기간행물)] - S. G. Lee / 2001 / Relationship between Microstructure and Fracture Toughness of Toughened Silicon Carbide Ceramics / J. Am. Ceram. Soc 84 (6) : 1347 ~ 1353
4. [학술지(정기간행물)] - Joe J. Cao / 1996 / In Situ Toughened Silicon Carbide Al-B-C Additions / J. Am. Ceram. Soc 79 (2) : 461 ~ 469
5. [학술지(정기간행물)] - S. K. Lee / 1995 / Flaw-Tolerance and R-Curve Behavior of Liquid- Phase-Sintered Silicon Carbides with Different Microstructures / J. Am. Ceram. Soc 78 (1) : 65 ~ 70
2. [학술지(정기간행물)] - Y. D. Shin / 2001 / Properties of β-SiC-TiB2 Electroconductive Ceramic Composites Densified by Liquid-Phase Sintering(II)" / Trans. KIEE 50C (6) : 263 ~ 270
3. [학술지(정기간행물)] - S. G. Lee / 2001 / Relationship between Microstructure and Fracture Toughness of Toughened Silicon Carbide Ceramics / J. Am. Ceram. Soc 84 (6) : 1347 ~ 1353
4. [학술지(정기간행물)] - Joe J. Cao / 1996 / In Situ Toughened Silicon Carbide Al-B-C Additions / J. Am. Ceram. Soc 79 (2) : 461 ~ 469
5. [학술지(정기간행물)] - S. K. Lee / 1995 / Flaw-Tolerance and R-Curve Behavior of Liquid- Phase-Sintered Silicon Carbides with Different Microstructures / J. Am. Ceram. Soc 78 (1) : 65 ~ 70
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