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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
吳在旭 (중앙대학교) 林泰瑞 (중앙대학교) 金炯碩 (중앙대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제56권 제4호
발행연도
2007.4
수록면
761 - 767 (7page)

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In this paper, we deal wih a concurrent dual band low noise amplifier for a Radio Frequency Identification(RFID) reader operating at 912㎒ and 2.45㎓. The design of the low noise amplifier is based on the TSMC 0.l8㎛ CMOS technology. The chip size is 1.8㎜×1.8㎜. To improve the noise figure of the circuit, SMD components and a bonding wire inductor are applied to input matching. Simulation results show that the S21 parameter is 11.41㏈ and 9.98㏈ at 912㎒ and 2.45㎓, respectively. The noise figure is also determined to 1.25㏈ and 3.08㏈ at the same frequencies with a power consumption of 8.95㎽.
#이중 대역 저잡음 증폭기 #RFID #잡음 지수 #본딩 와이어 인덕터

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
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저자소개

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