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LB method is one of the most interesting technique to arrange certain molecular groups at precise position relative to others. Also, the LB deposition technique can fabricate extremely thin organic films with a high degree of control over their thickness and molecular architecture. In this way, new thin film materials can be built up at the molecular level, and the relationship between these artificial structures and the properties of materials can be explored. In this paper, evaluation of physical properties was made for dielectric relaxation phenomena by the detection of the surface pressures and displacements current on the monolayer films of phospolipid monomolecular DLPC. Lipid thin films were manufacture by detecting deposition for the accumulation and the current was measured after the electric bias was applied across the manufactured MIM device. It is found that the phospolipid monolayer of dielectric relaxation takes a little time and depend on the molecular area. When electric bias is applied across the manufactured MIM device by the deposition condition of phospolipid mono-layer, it wasn't breakdown when the higher electric field to impress by increase of deposition layers.
목차
Abstract
1. 서론
2. 시료 및 실험 방법
3. 결과 및 검토
4. 결론
참고문헌
감사의 글
저자소개
참고문헌 (14)
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1. [학술지(정기간행물)] - / 1989 / Present status and future prospect of LB film research 89 Fourth international conference on LB films
2. [학술지(정기간행물)] - / 1994 / Langmuir Blodgett films for nonlinear optical applications Journal of materials science materials in electronic
3. [학술지(정기간행물)] - / 1995 / On the degradation of conducting Langmuir Blodgett film 6 : 79 ~ 83
4. [학술지(정기간행물)] - / 1989 / Surface state density distribution in band gap of metal/LB Films/Semiconductor structure 89 Fourth international conference on LB films
5. [학술지(정기간행물)] - / 1992 / Charge storage phenomena and I-V characteristics observed in ultrathin polyimide Langmuir Blodgett films
2. [학술지(정기간행물)] - / 1994 / Langmuir Blodgett films for nonlinear optical applications Journal of materials science materials in electronic
3. [학술지(정기간행물)] - / 1995 / On the degradation of conducting Langmuir Blodgett film 6 : 79 ~ 83
4. [학술지(정기간행물)] - / 1989 / Surface state density distribution in band gap of metal/LB Films/Semiconductor structure 89 Fourth international conference on LB films
5. [학술지(정기간행물)] - / 1992 / Charge storage phenomena and I-V characteristics observed in ultrathin polyimide Langmuir Blodgett films
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