〈속보논문〉 트랜치 구조를 갖는 단락 애노드 SOI LIGBT

崔承弼 ,  河珉宇 ,  韓民九 외 1명

전기학회논문지 C

2002 .05

플로우팅 전극과 보조 게이트를 이용하여 스냅백을 없앤 애노드 단락 SOI LIGBT의 수치 해석

吳在根 ,  金杜泳 ,  韓民九 외 1명

전기학회논문지 C

2000 .02

이중 애노드 구조의 SOI LIGBT

최승필 ,  전병철 ,  한민구 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .11

낮은 순방향 전압 강하와 높은 래치-업 특성을 갖는 이중-에미터 구조의 LIGBT에 관한 분석

정진우 ,  이병석 ,  박상조 외 1명

전기전자학회논문지

2011 .06

수평형 애노드-스위칭 사이리스터(LAST)의 전류-전압 온도 특성

하민우 ,  이유상 ,  전병철 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2002 .11

이중-에미터를 갖는 새로운 LIGBT구조의 전기적 특성 분석

김동수 ,  이현덕 ,  이병석 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2010 .11

Shorted anode p-i-n 스위칭 소자의 전기적 특성

이성재 ,  민남기

대한전기학회 학술대회 논문집

1994 .07

수직형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 순방향 전류 포화 특성

정현준 ,  김태은 ,  하민우

대한전기학회 학술대회 논문집

2019 .10

턴-오프 특성이 향상된 Shorted Anode 수평형 MOS 제어 다이리스터

金成東 ,  韓民九 ,  崔然益

전기학회논문지

1996 .04

분리된 단락에노드와 플로팅오믹접합을 사용한 새로운 SOI 이중게이트 수평형 절연게이트바이폴라트랜지스터

하민우 ,  이승철 ,  오재근 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .07

A Study on 4H-SiC LIGBT with Dual Emitter for High Voltage Driver IC

Kyoung-Il Do ,  Yong-Seo Koo

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2020 .08

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 개발 동향

윤종만

전력전자학회지

2017 .02

높은 전류 구동능력을 갖는 새로운 구조의 LIGBT 전기적 특성 분석

송보배 ,  도경일 ,  박준걸 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

Insulated Gate Transistor의 설계 및 제작 ( Design and Fabrication of the Insulated Gate Transistors )

김진형 ,  최연익

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

Design and Process Development in High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs)

김수성

전자공학회지

2008 .07

POWER LIGBT의 모델링에 관한 연구

임경문 ,  정세진 ,  이현석 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1991 .11

The Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor with a Trench Injector

曺永虎 ,  車承翼 ,  崔然益 외 1명

전기학회논문지

1993 .12

순방향 안전 동작 영역(Forward biased safe operating area) 증가를 위한 수평형 LDMOS와 수평형 LIGBT를 직렬 연결한 구조

이승철 ,  오재근 ,  김수성 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2001 .11

p+링과 p 채널 게이트를 갖는 역채널 LIGBT의 전기적인 특성

姜二求 ,  成萬永

전기학회논문지 C

2002 .03

점진적인 홀의 주입을 통해 스냅백을 억제한 새로운 구조의 SA-LIGBT

田正勳 ,  李炳勳 ,  邊大碩 외 3명

전기학회논문지 C

2000 .02