DRAM 특집을 내면서

진대제

전기의세계

1989 .04

16Mb DRAM의 중요 기술적 문제점

김창현 ,  신윤승 ,  진대제

전기의세계

1989 .04

21세기 첫 10년의 DRAM 설계기술 전망

정진용

전자공학회지

2000 .03

256K DRAM의 신뢰성

한국전자산업진흥회

전자진흥

1985 .01

DRAM의 한계

박영준

전기의세계

1989 .04

ECC를 적용한 DRAM의 초기화 시간 최소화 방법

노종성 ,  김종태

대한전기학회 학술대회 논문집

2006 .10

고밀도 DRAM Cell의 새로운 구조에 관한 연구 ( A Study on New High Density DRAM Cell )

이천희

전자공학회논문지

1989 .06

고 전력 DMOSFET 응용을 위한 트렌치 게이트 형성에 관한 연구

박훈수 ,  구진근 ,  이영기

전기전자재료학회논문지

2004 .01

4H-SiC Trench MOSFET 응용을 위한 Ar Reshape 공정 최적화

성민제 ,  강민재 ,  김홍기 외 5명

전기전자학회논문지

2018 .12

TRENCH 공정을 이용한 MOS DEVICE의 전기적 특성

구본재 ,  이종호 ,  문종 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

여러가지 구조를 갖는 Trench Capacitor의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Trench Capacitor with Various Structures )

이진희 ,  남기수 ,  김말문 외 1명

전자공학회논문지

1987 .01

반도체 메모리 기술개발의 방향 - 4M DRAM과 그 이후 - ( Semiconductor Memory Technology Trends after 4 Mega DRAM )

이종길 ,  이종무

대한전자공학회 학술대회

1987 .01

고집적 DRAM Cell 에 대한 연구 ( The Study of High Density DRAM Cell Structure )

김달수

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

DRAM 반도체 소자의 향후 기술 동향

박종우 ,  이강윤

전기의세계

1997 .04

한국의 4M DRAM 공동연구개발 사례연구 하(下)

주대영

반도체디스플레이기술학회지

2019 .01

차세대 DRAM의 Memory Cell 기술 동향

김천수 ,  이규홍 ,  이진호 외 2명

전자공학회지

1990 .08

DRAM의 안정한 내부 전압 시스템 설계에 관한 연구

주종두 ,  이승훈 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

DRAM 의 안정한 내부 전압 시스템 설계에 관한 연구 ( A Study on the Design of the Stable Internal Voltage System for DRAM's )

주종두 ,  이승훈 ,  곽계달

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

Technology Trend in DRAM Cells

Dae Je Chin

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

DRAM에서 높은 정확도를 갖는 온도 센서

임종만 ,  최재웅 ,  채명준 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2006 .11