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MFISFETs with platinum electrode on the LiNbO₃/aluminum nitride/Si(100) structures were successfully fabricated and the properties of the FETs have been discussed. I<SUB>D</SUB>-V<SUB>G</SUB> characteristics of MFISFETs for linear region (that is, 0.1 V of the drain voltage) showed hysteresis loop with a counter-clockwise trace due to the ferroelectric nature of LiNbO₃ films. A memory window (i.e., threshold voltage shift) of the fabricated device was about 2[V] for a sweep from -4 to +4[V]. The estimated field-effect electron mobility and transconductance on a linear region were 530[㎠/Vㆍs] and 0.16[mS/㎜], respectively. The drain current of 27[㎂] on the "on" state was more than 3 orders of magnitude larger than that of 30[㎁] on the "off" state at the same "read" gate voltage of 1.5[V], which means the memory operation of the MFISFET.
목차
Abstract
1. 서론
2. LiNbO₃와 질화알루미늄의 특성
3. 실험 방법
4. 결과 및 고찰
5. 결론
참고문헌
감사의 글
저자소개
참고문헌 (17)
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1. [학술지(정기간행물)] - Jang-Sik Lee / 2007 / Data retention characteristics of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films on conductive SrRuO3 electrodes / APPLIED PHYSICS LETTERS 91 : 142901 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Daolin Cai / 2007 / Fabrication and characteristics of a metal/ferroelectric/polycrystalline silicon/insulator/silicon field effect transistor / APPLIED PHYSICS LETTERS 90 : 153513 ~
3. [학술지(정기간행물)] - E. Tokumitsu / 2007 / Fabrication and characterization of M-I-FIS ferroelectric-gate structures using HfAlOx buffer layer / Microelectronic Engineering 84 : 2018 ~ 2021
4. [학술지(정기간행물)] - J. F. Scott / 2007 / Applications of Modern Ferroelectrics / Science 315 : 954 ~ 959
5. [학술지(정기간행물)] - Werner Känzig / 1955 / Space Charge Layer Near the Surface of a Ferroelectric / Phys. Rev 98 : 549 ~ 550
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