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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
鄭鴻倍 (광운대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제55C권 제10호
발행연도
2006.10
수록면
461 - 466 (6page)

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In the present work, we investigated the photodissolution and photodiffusion effect on the interface of Ag/chalcogenide AS₄?Ge₁?Se₁?S₃? thin film by measuring the absorption coefficient, the optical density, the resistance change of Ag layer. It was found that the photodissolution/photodiffution ratio depends on the magnitude of photon energy absorbed in the chalcogenide thin film and the depth of photodiffution was proportional to the square root of the exposed time. Also, we have investigated the holographic grating formation with P-polarization states on chalcogenide As₄?Ge₁?Se₁?S₃? thin film and As₄?Ge₁?Se₁?S₃?/Ag double layer structure thin film. Holographic gratings have been formed using He-Ne laser (632.8 ㎚) which have a smaller energy than the optical energy gap, E<SUB>g opt</SUB> of the film, i. e., an exposure of sub-bandgap light (hv<E<SUB>g opt</SUB>) under P-polarization. As the results, we found that the diffraction efficiency on AS₄?Ge₁?Se₁?S₃?/Ag double layer structure thin film was more higher than that on single AS₄?Ge₁?Se₁?S₃? thin film. Also, we obtained that the maximum diffraction efficiency was 0.27%, 1,000 sec on AS₄?Ge₁?Se₁?S₃? (1 ㎛)/Ag (10 ㎚) double layer structure thin film by (P:P) polarized recording beam. It will offer lots of information for the photodoping mechanism and the analyses of chalcogenide thin films.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
3. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (14)

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