비정질 As-Ge-Se-S 박막에서 선택적 에칭을 통한 2차원 엠보싱형 홀로그램 제작

李其南; 鄭鴻倍

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자료유형: 학술저널

저자정보: 李其南鄭鴻倍 (광운대학교)

저널정보: 대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제55C권 제7호

발행연도: 2006.7

수록면: 354 - 358 (5page)

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In this paper, we investigated the selective etching rate of amorphous As-Ge-Se-S thin film due to the photoexpansion effect and fabricated the 2-dimensional embossing type diffraction grating hologram. We measured the thickness change with the etching time among NaOH solution after forming 1-dimension diffraction grating. As a results, we found that the selective etching rate were 2.5Å/s, 3.3Å/s, 3.9Å/s where NaOH solution concentration were 0.26N, 0.33N, 0.36N, respectively. Also after the formation of 2-dimensional diffraction grating by the 90° degree of circulation on the formed 1-dimensional diffraction grating, we etched selectively during 60sec, among 0.26N NaOH solution and obtained 2-dimensional embossing diffraction grating. As the r esults of AFM (Atomic Force Microscopy), we confirmed the formation of distinct embossing type 2-dimensional diffraction grating hologram, successfully.

#As-Ge-Se-S 박막 #2차원 홀로그램 #엠보싱 #선택적 에칭 #NaOH

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[학술지(정기간행물)] - M. Vlcec / 1998 / High efficiency diffraction gratings in As-S layers 227-230 : 743 ~

[학술지(정기간행물)] - R. R. Gerke / 1997 / Obtaining holographic diffraction gratings on light sensitive layers of chalcogenide glasses by dry etching 64 (11) : 1008 ~

[학술지(정기간행물)] - K. Shimakwa / 1999. / In-situ photoexpansion measurement of amorphous As2S3 films Role of photo carriers 74 (15) : 2119 ~

[학술지(정기간행물)] - K. Tanaka / 2000. / Sub-gap excitation effect in As2S3 glass 266-269 : 889 ~

[학술지(정기간행물)] - J. Y. Chun / 1998 / Estimation of the anisotropy magnitude in amorphous As40Ge10S35Se15 thin films by an interference method 11 (9) : 749 ~

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