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대한전기학회 전기학회논문지 C 전기학회논문지 제55C권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
30 - 33 (4page)

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Transparent indium tin oxide (ITO) anode surface was modified using O₃ plasma and organic ultrathin buffer layers were deposited on the ITO surface using 13.56 ㎒ RF plasma polymerization technique. The EL efficiency, operating voltage and lifetime of the organic light-emitting device (OLED) were investigated in order to study the effect of the plasma surface treatment and role of plasma polymerized organic ultrathin buffer layer. Poly methylmethacrylate (PMMA) layers were plasma polymerized on the ITO anode as buffer layer between anode and hole transport layer (HTL). The plasma polymerization of the organic ultrathin layer were carried out at a homemade capacitive-coupled RF plasma equipment. N,N'-diphenyl- N,N'(3-methylphenyl)-1,l'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as HTL, Tris(8-hydroxyquinolinato) Aluminum (Alq₃) as both emitting layer (EML/electron transport layer (ETL), and aluminum layer as cathode were deposited using thermal evaporation technique. Effects of the plasma surface treatment of ITO and plasma polymerized buffer layers on the OLED performance were discussed.
#OLED #Plasma Treatment #Plasma Polymerization #ppMMA

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (2)

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[학술지(정기간행물)] - E.H. Rhoderick / 1988. / Metal-semiconductor Contacts google schola [학술지(정기간행물)] - 정진욱 / 2003. / 공정 플라즈마 기초와 응용 : 198 ~ google schola

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