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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
신창희 (한양대학교) 권오경
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第46卷 第5號
발행연도
2009.5
수록면
9 - 14 (6page)

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표준 CMOS 공정을 이용한 CMOS 게이트 산화막 안티퓨즈의 새로운 OTP 단위 비트 구조를 제안하였다. 제안된 OTP 단위 비트는 NMOS 게이트 산화막 안티퓨즈를 포함한 3개의 트랜지스터와 인버터 타입 자체 센스 엠프를 포함하고 있다. 그럼에도 불구하고, 레이아웃 면적은 기존 구조와 비슷한 22㎛²이다. 또한, 제안된 OTP 단위 비트는 구조적 특징상 고전압 차단 스위치 트랜지스터와 저항과 같은 고전압 차단 요소를 사용하지 않기 때문에, 프로그램 시간은 기존 구조보다 개선된 3.6msec이다. 그리고 제안된 OTP 단위 비트를 포함하는 OTP array는 센스 엠프가 단위 비트마다 집적되어 있기 때문에 기존 OTP array에서 사용된 센스 엠프와 바이어스 생성 회로가 필요 없다.
#Non-Volatile Memory #OTP #CMOS Gate Oxide Antifuse

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개

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