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이 논문의 연구 히스토리 (3)

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NAND 플래시 메모리는 작은 사이즈와 빠른 접근속도, 충격에 강한 성질과 낮은 전력 소모 등의 장점으로 인해 임베디드 장비에 널리 쓰이고 있다. 하지만 이러한 장점에도 불구하고 바이트 레벨의 임의접근이 불가능 하다는 단점이 있기 때문에 프로그램을 실행시키기 위한 저장소로는 부적합 하다. NAND플래시 메모리에 있는 프로그램 코드를 SRAM으로 옮겨서 실행을 할 순 있지만, 이는 많은 SRAM 메모리를 필요로 한다. 이를 해결하기 위한 노력 끝에 RT-PLRU(Real-Time constrained combination of Pinning and LRU)[1] 정책은 real-time을 위한 프로그램 코드를 보다 적은 SRAM으로 수행 가능하게 하였다. RT-PLRU정책은 pinning과 LRU알고리즘의 최적 조합으로 구성되어 있다. 하지만 현실적으로 LRU를 완벽하게 구현하는데 한계가 있다. 따라서 이 논문에선 RT-PLRU의 LRU부분을 다른 페이지 교체 정책으로 대체해보고, 그 결과를 분석해 보았다.

목차

요약
1. 서론
2. 이전 연구 (RT-PLRU)의 개괄
3. 구현상의 현실적 어려움
4. 실험 및 결과
5. 결론
6. 사사
7. 참고문헌

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