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한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第19卷 第9號
발행연도
2008.9
수록면
992 - 999 (8page)

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본 논문은 20∼100 ㎒ 범위의 VHF 대역에서 50 μs 이내에 2 ㎾ 이상의 고전력 신호를 제어할 수 있는 SPST(Single Pole Single Throw) PIN 다이오드 스위치의 설계 및 제작에 관하여 기술하였다. 고전력 스위치 설계에 필요한 설계 요소를 고찰하였고, 시뮬레이션을 통해 설계된 스위치의 삽입 손실, VSWR 및 격리도 특성이 목표 값을 만족함을 확인하였다. 또한, 실험을 통하여 최대 20 μs 이하의 빠른 스위칭 속도로서 2 ㎾의 고전력 취급이 가능함을 알 수 있었고, 0.2 ㏈ 이하의 삽입 손실, 1.17:1 이하의 VSWR 및 40 ㏈ 이상의 격리도 특성을 얻었다.
#PIN Diode Switch #High-Power Switch

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 고전력 스위치 설계
Ⅲ. 스위치 제작 및 실험
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
Richard Poisel , 2002 , Introduction to Communication Electronic Warfare Systems , Artech House google schola Joseph F. White , 1982 , Microwave Semiconductor Engineering , Van Nostrand Reinhold Company Inc. : 358 ~ 362 google schola 김동욱 , 2007 , 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치 모듈과 고속 스위치 구동회로의 구현 , 한국전자파학회 논문지 18 (4) : 364 ~ 371 google schola 염인복, , 2005 , 위성통신용 MSM을 위한 흡수형 SPST MMIC 스위치의 설계 및 제작 , 한국전자파학회 논문지 16 (10) : 989 ~ 994 google schola R. Tenenholtz , 1981 , A 2,000 Watt CW MIC 20～500 MHz SPDT PIN diode switch module , IEEE International Microwave Symposium Digest : 252 ~ 254 google schola

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